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Ampli audio 100 W

Quadri-TDA7293

Il n’y a pas si longtemps, de nombreux amateurs de musique grimaçaient à la vue d’un étage de puissance à circuit hybride ou intégré. Mais depuis lors, une génération de CI de sortie a vu le jour, taillée sur mesure pour les amplificateurs audio de grande classe.Avec des transistors MOS en sortie, l’étage final à géométrie et puissance variable du TDA7293 de ST Microelectronics se place d’office en haut de gamme. Il s’agit du successeur du TDA7294, dont la revue Elektor avait déjà publié les caractéristiques en décembre 1993, sur base d’une fiche de caractéristiques de source SGS Thomson. Manifestement, la firme a connu des difficultés lors du développement de cette puce, puisqu’il a fallu trois avant qu’elle ne soit disp onible sur le marché . Mais en novembre 1996, nous avons eu enfin l’occasion de faire connaître « The Compact », un amplificateur de 50 W équipé du TDA7294 et qui a connu rapidement le succès.

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Matériaux

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PCB

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Liste des composants

Liste des composants de la platine des étages de sortie
Résistances :
R1 = 390 Ohm
R2,R5,R8 = 24 kOhm
R3 = 19kOhm 6 (20 kOhm )
R4 = 560 Ohm
R6,R10 = 100 kOhm
R7 = 2Ohm 2/2 W
R9 = 47 kOhm
Condensateurs :
C1 = 1 µ F MKT (RM5/7,5)
C2 = 470 pF
C3,C4 = 100 µ F/25 V vertical
C5 = 100 nF
C15 = 100 nF (RM7,5)
C6 = 22 pF
C7 = 47 µ F/50 V vertical
C9,C10 = 1 000 µ F/63 V vertical (diamètre 17 mm max.)
C11,C12 = 150 nF (RM7,5)
C13,C14 = 10 µ F/63 V vertical
Semi-conducteurs :
D1 = 1N4148
IC1 = TDA7293V (STMicroelectronics)
Divers :
JP1 = embase autosécable à 3 contacts *
JP2 = embase autosécable à 2 contacts + cavalier *
JP3 = embase autosécable à 2 contacts *
K1,K2 = embase HE-10 à détrompeur à 2 rangées de 5 contacts *
K3,K5 = bornier à vis encartable à 2 contacts (RM5)
K4 = embase autosécable à 3 contacts
K6 = bornier à vis encartable à 3 contacts (RM5)
Radiateur *
Boîtier *
* cf. texte
Liste des composants de l’alimentation
(fonction du nombre d’étages de sortie)
Résistances :
R1 à R4 = 0Ohm 15/5 W
R5,R6 = 4kOhm 7
R7 = 12 kOhm
Condensateurs :
C1 à C4 = 47 nF céramique
C5,C6,C11,C12 = 3µ F3/250 VDC/160 VAC MKT (dimensions 11 x 21 x 31,5 mm (tel que, par exemple, Epcos B32524-Q3335-K chez Farnell 331-3311)
C7 à C10 = 10 000 µ F/63 V vertical, RM10, diamètre maximal 45 mm) encartable
Semi-conducteurs :
D1 à D4 = BYV29-200
D5 = LED à haut rendement
Divers :
K1 à K10 = bornier à vis encartable à 2 contacts (RM5)
Transformateur = 2x 22 V/225 VA