À mesure que les besoins en calcul explosent, notamment avec l’intelligence artificielle, la consommation énergétique des infrastructures devient un défi majeur. Dans ce contexte, chaque amélioration d’efficacité dans la conversion de puissance a un impact direct sur les performances globales.

C’est précisément sur ce point que CGD et NXP Semiconductors unissent leurs forces.

Exploiter les avantages physiques du GaN

Les transistors en nitrure de gallium se distinguent par leur capacité à commuter à des fréquences bien plus élevées que les dispositifs en silicium traditionnels. Cette caractéristique permet de réduire la taille des composants passifs et d’améliorer la densité de puissance.

En pratique, cela se traduit par des convertisseurs plus compacts, avec des pertes réduites et un meilleur rendement.

Répondre à l’explosion de la puissance dans les data centers

Les infrastructures dédiées à l’IA voient leur consommation de puissance augmenter rapidement. Là où un rack consommait quelques dizaines de kilowatts il y a quelques années, les architectures modernes atteignent déjà des niveaux bien supérieurs, avec des projections encore plus élevées.

Cette évolution impose des convertisseurs capables de gérer des rapports de conversion élevés, tout en maintenant une efficacité optimale. Les solutions GaN permettent de relever ce défi en améliorant la performance des étages de conversion.

Simplifier l’intégration grâce à des architectures innovantes

La technologie ICeGaN développée par CGD se distingue par sa capacité à fonctionner avec des drivers standards, ce qui simplifie l’intégration dans les systèmes existants. Elle permet également de mettre en parallèle plusieurs composants afin d’atteindre des niveaux de courant élevés sans complexité excessive.

Cette approche réduit les contraintes de conception et facilite l’adoption du GaN dans des applications industrielles et automobiles.

Optimiser les convertisseurs pour les applications EV

Dans les onduleurs de traction, l’efficacité à faible charge est un paramètre critique. Les technologies GaN permettent d’améliorer ce rendement, ce qui contribue à l’optimisation globale des véhicules électriques.

Cette amélioration se traduit par une réduction des pertes énergétiques et une meilleure utilisation de la batterie.

Combiner expertise composant et vision système

L’un des apports majeurs de cette collaboration réside dans la combinaison des technologies GaN de CGD et de l’expertise système de NXP. Cette synergie permet de créer des solutions optimisées, intégrant à la fois les composants, le contrôle et les architectures de conversion.

Cette approche accélère le passage de l’innovation à l’industrialisation.

Si vous travaillez dans l’électronique de puissance ou les systèmes énergétiques, cette collaboration montre que le futur repose sur des architectures capables de tirer pleinement parti des propriétés du GaN, tout en intégrant des solutions complètes au niveau système pour maximiser les performances et réduire le time‑to‑market.

Cambridge GaN Devices (CGD) | NXP Semiconductors