La capacité des batteries d'appareils portables augmente. Pour conserver des temps de charge acceptables, les circuits chargés de les recharger doivent supporter des courants et des fréquences de plus en plus élevées. 

Toshiba lance un double MOSFET canal-N à faible résistance, destiné aux applications de gestion d'énergie dans les appareils portables. Le MOSFET SSM6N58NU répond aux besoins des circuits de charge à forte intensité, ainsi qu'à ceux des circuits de recharge sans fil, présents dans les téléphones tactiles, les tablettes ou les ordinateurs portables.

Le SSM6N58NU répond à cela avec un courant de drain (ID) DC maximum de 4 A, et un courant de drain pulsé (IDP) maximum de 10 A. En outre, la commutation de ce MOSFET est plus rapide car la charge de grille et la capacité sont sensiblement réduites.

 

Ce transistor MOSFET canal-N assure un bon rendement et autorise des vitesses de commutation élevées, grâce à sa conception, qui réduit au maximum sa résistance à l'état passant (RDS(ON)) et sa capacité d'entrée (CISS). Cette capacité d'entrée peut descendre à 129 pF, tandis que RDS(ON) est de seulement 67 mΩ à VGS = 4,5 V. Ceci permet de faibles pertes et autorise un fonctionnement rapide, avec un temps d'établissement (ton) de 26 ns, et un temps de coupure (doff) de seulement 9 ns. La faible charge de grille de Qg = 1,8 nC (avec ID = 4 A) réduit de manière sensible la dissipation AC à 3 MHz, ce qui permet l'utilisation de ce MOSFET dans des convertisseurs DC. La configuration indépendante des deux MOSFET, et le niveau élevé de protection ESD supérieur à 2 kV, permettent aussi son utilisation dans des circuits de protection de batterie.

 

Le SSM6N58NU est fourni en boîtier CMS miniature UDFN6 : 2 x 2 mm pour une épaisseur de seulement 0,75 mm. Grâce à son boîtier très plat, ce module offre une dissipation d'énergie de 2 W, et peut supporter des températures de canal jusqu'à 150 °C.