Thomas Scherer

FET de puissance SiC à RDS(on) archi-faible

5 février 2020, 10:56
FET de puissance SiC à RDS(on) archi-faible
FET de puissance SiC à RDS(on) archi-faible
Avec une résistance drain-source RDS(on) de seulement 7 mΩ, les nouveaux FET SiC de UnitedSiC sont conçus pour des applications de pointe telles que les systèmes de commande de moteurs automobiles ou les convertisseurs CC/CC et les chargeurs pour véhicules.
 
La série SiC FET UF3C/SC offre une RDS(on) de <7 mΩ. En outre, il existe des versions avec une RDS(on) de 9 et 16 mΩ sous une tension nominale de 1,2 kV. Tous les FET sont disponibles en boîtier TO247. Les caractéristiques cruciales d'un FET de puissance sont sa résistance nominale, ses pertes de commutation et, enfin et surtout, son prix.

Structure du SiC-FET

Les nouveaux FET au SiC sont le résultat de la combinaison en cascode d'un JFET au SiC de troisième génération avec un MOSFET au silicium optimisé . Ce composant améliore la commutation et augmente ainsi le rendement de l'électronique dans laquelle il est utilisé. En outre, les nouveaux FET à SiC restent compatibles avec les tensions de grille typiques des IGBT au Si, des MOSFET au Si et des MOSFET au SiC.

Caractéristiques

UF3SC065007K4S
Tension max. : 650 V
Courant max. : 120 A
RDS(on) : 6,7 mΩ
  
UF3SC120009K4S
Tension max. : 1.200 V
Courant max. : 120 A
RDS(on) : 8,6 mΩ
 
UF3SC120016K3S (3 broches)
UF3SC120016K4S (4 broches)
Tension max. : 1.200 V
Courant max. : 77 A
RDS(on) : 16 mΩ
 
Pour obtenir leur fonctionnement stable à haute température, le procédé par frittage d'argent a été utilisé pour ces quatre puces en boîtier TO247.
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