Le GaN est l’avenir de la conversion de puissance — mais encore difficile à maîtriser

Oscillations, inductances parasites, routage exigeant…
Le GaN apporte vitesse et efficacité, mais son intégration restait un défi.


Infineon change la donne avec un demi‑pont GaN entièrement intégré, combinant dans un seul package tout ce qu’il fallait auparavant mettre en place manuellement.

 

Un demi‑pont GaN complet qui tient dans quelques millimètres

Les quatre modèles CoolGaN Drive HB 600 V G5 embarquent :
  • deux FET GaN 600 V,
  • un driver high‑side,
  • un driver low‑side,
  • une diode bootstrap.
Tout est intégré.
  Tout est optimisé.
  L’ingénieur n’a plus qu’à concevoir autour d’un bloc de puissance cohérent et prêt à l’emploi.

 

Vitesse extrême, précision chirurgicale

Avec un délai de propagation de 98 ns et un mismatch minimal, ces modules permettent :
  • des fréquences élevées,
  • des pertes réduites,
  • des aimants et passifs plus petits,
  • des alimentations ultra‑compactes,
  • des motorisations plus réactives.
Le GaN délivre enfin tout son potentiel — sans les contraintes habituelles.

 

Simplicité d’intégration : un seul rail 12 V, une simple PWM

Plus besoin de drivers complexes :
  Un signal PWM standard, une alimentation 12 V, et c’est parti.
La reprise UVLO rapide assure une robustesse exceptionnelle lors des transitoires de tension.

 

Thermique optimisée : une dissipation pensée dès le packaging

Grâce au package TFLGA‑27 6 × 8 mm², avec pads exposés :
  • la chaleur s’évacue rapidement,
  • les designs fanless deviennent possibles,
  • les systèmes gagnent en densité et compacité.


L’aboutissement d’une vision GaN globale

Infineon assemble ici :
  • sa technologie CoolGaN éprouvée,
  • une intégration driver + FET poussée,
  • un savoir‑faire système reconnu.

Objectif : démocratiser le GaN, rendre son adoption plus rapide, plus accessible, plus

Le GaN n’est plus réservé aux experts. Avec ces demi‑ponts intégrés, Infineon permet :
  • des conceptions plus rapides,
  • des systèmes plus petits,
  • une efficacité plus élevée,
  • une adoption de masse du GaN dans des plateformes industrielles et grand public.
Un nouveau chapitre pour la conversion de puissance haute fréquence.

Infineon Technologies AG