Dans un monde où les besoins en énergie augmentent avec l’essor de l’IA, des véhicules électriques et des énergies renouvelables, Renesas propose une réponse puissante : trois nouveaux transistors GaN haute tension, conçus pour offrir plus de performance, moins de perte et une intégration simplifiée.

Pourquoi c’est important ?
Ces composants de nouvelle génération (Gen IV Plus) sont pensés pour les systèmes exigeants : serveurs de centres de données, onduleurs solaires, bornes de recharge, ou encore systèmes de secours. Leur secret ? Une technologie GaN avancée, issue de l’expertise de Transphorm, récemment intégrée à Renesas.

Des avantages concrets :

  • Moins de perte d’énergie grâce à une résistance ultra-faible.
  • Compatibilité avec les pilotes standards, donc plus faciles à intégrer.
  • Boîtiers compacts et thermiquement optimisés pour des systèmes jusqu’à 10 kW.

Et demain ?
Renesas ne compte pas s’arrêter là. Ces FET ne sont que le début d’une nouvelle génération de solutions de puissance, qui combineront bientôt contrôleurs, pilotes et composants GaN dans des systèmes complets, prêts à alimenter les technologies de demain.

Renesas