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Microcontrôleur à mémoire ferroélectrique

10 décembre 2013, 14:38
Microcontrôleur à mémoire ferroélectrique
Microcontrôleur à mémoire ferroélectrique

Texas Instruments lance ses premiers microcontrôleurs à 16 bits FRAM (mémoire ferroélectrique à accès aléatoire) à consommation d'énergie ultra-faible. Comparée aux microcontrôleurs flash et EEPROM, la nouvelle série de FRAM MSP430FR57xx assure des vitesses d'écriture jusqu'à 100 fois supérieures et une consommation d'énergie réduite jusqu'à 250 fois. De plus, la FRAM intégrée permet de conserver des données dans tous les modes d'alimentation ; elle supporte plus de 100 billions de cycles d'écritures.

 

La nouvelle famille de microcontrôleurs offre des densités de FRAM jusqu'à 16 ko et permet l'enregistrement continu des données, éliminant ainsi le besoin d’une coûteuse EEPROM externe ou une mémoire SRAM avec pile de sauvegarde. Comme périphériques la famille offre des convertisseurs A/N à 10 bits, un multiplicateur matériel à 32 bits, jusqu’à cinq compteurs de 16 bits et plusieurs interfaces SPI/I2C/UART avancées.
La compatibilité du code sur la plateforme MSP, mais aussi les outils à faible coût, la documentation complète, le guide de l'utilisateur et les exemples de code permettent aux développeurs de démarrer sans délai.

 

Pour en savoir plus sur les développements récents en matière de microcontrôleurs à mémoire ferromagnétique, nous vous recommandons l'article FRAM - true unified memory de Clemens Valens sur son blog

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