MRAM plus rapides et moins gourmandes grâce au lift d’électron

18 mars 2016, 19:00
L’art du lift quantique.
L’art du lift quantique.
De tous les supports de stockage, la mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) se montre la plus efficace et la plus fiable. Une MRAM stocke les informations en exploitant astucieusement le spin électronique – une sorte de propriété gyroscopique des électrons. Le support de l’information étant magnétique et non pas électrique, la mémoire MRAM est non-volatile, autrement dit les données stockées ne sont pas perdues en cas de panne de courant. Si une MRAM consomme bien moins de courant que les autres types de mémoire, des pics de courant n’en sont pas moins nécessaires pour modifier le spin des électrons.
 
Des physiciens de l’université d’Eindhoven ont mis au point une technique novatrice permettant de modifier la polarité magnétique d’un bit plus rapidement et avec moins de courant que les méthodes traditionnelles. La technique consiste à envoyer une impulsion de courant sous la cellule binaire, ce qui a pour effet, un peu à la façon dont un joueur de foot lifte le ballon pour courber sa trajectoire, de faire tourner les électrons de la cellule et d’orienter leurs spins vers le haut, comme souhaité.

La technique donnait bien une mémoire très rapide, mais le renversement des spins ne se montrait pas fiable sans la présence d’un champ magnétique auxiliaire, ce qui rendait la méthode coûteuse et inefficace. Les physiciens ont résolu le problème en appliquant un matériau antiferromagnétique sur les cellules binaires dont le rôle est de geler le champ magnétique requis. [HM]
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