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Commutation rapide avec transistors GaN

29 mai 2014, 09:10
Commutation rapide avec transistors GaN
Commutation rapide avec transistors GaN

GaN Systems lance cinq transistors GaN normalement bloqués de 100 V, dans un boîtier de faible inductance et thermiquement optimisé. Avec une faible résistance à l’état passant et une faible charge totale de grille, ils sont optimisés pour la commutation haute vitesse. Comme son nom l'indique, GaN Systems est spécialiste des semi-conducteurs de puissance au nitrure de gallium.

Ces nouveaux transistors appartiennent à une famille de transistors GaN couvrant la gamme de 20 à 80 A avec une très faible résistance à l’état passant. Les GS61002P, GS61004P, GS61006P et GS61008P affichent respectivement 20 A / 21 mΩ, 40 A / 11 mΩ, 60 A / 8 mΩ et 80 A / 5 mΩ. Le GS71008P est un circuit demi-pont de 80 A / 5 mΩ.

Ces nouveaux transistors à enrichissement présentent une capacité de courant inverse, une fonction de mesure de source pour une conception haute vitesse optimale , et une charge totale de grille (QG) ainsi qu’une charge de recouvrement inverse (QRR) exceptionnellement basses. Ils sont encapsulés dans le boîtier embarqué GaNPX, pratiquement un boîtier-puce, qui minimise l’inductance et optimise la performance thermique.

« Nous pensons être les premiers à disposer d’une gamme aussi large de composants en échantillonnage, » déclare le président de GaN Systems. « Les applications incluent les convertisseurs DC-DC haute vitesse, les commandes de moteurs à courant alternatif basse tension, les onduleurs et les alimentations à découpage. »

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