Elektor Team

10,7 W pour un nouveau transistor HF de puissance

10 décembre 2013, 14:38
10,7 W pour un nouveau transistor HF de puissance
10,7 W pour un nouveau transistor HF de puissance

Que ceux qui pensent que le transistor est un composant ringard se ravisent, car il ne cesse de faire des progrès spectaculaires. Ainsi Panasonic a conçu un nouveau type de transistor de puissance au nitrure de gallium (GaN) pour la communication sur des grandes distances en gamme d’ondes millimétriques. Le fabricant emploie le transistor dans un émetteur-récepteur d'une puissance moyenne de 2 W à 25 GHz, ce qui donne une portée d’environ 84 km.

 

La structure de la couche épitaxiale du nouveau transistor a été optimisée pour permettre des courants de drain de plus forte intensité, jusqu’à 1,2 A/mm. L’utilisation d’une mince couche en nitrure de silicium (SiN) comme isolateur de grille élève la tension de claquage de la grille et permet ainsi des tensions de drain jusqu’à 55 V. Le transistor atteint alors une puissance de sortie de 10,7 W à 25 GH. C’est le niveau le plus élevé jamais atteint à cette fréquence.

La densité de puissance est de 2,4 W/mm à 60 GHz.

 

L’émetteur-récepteur du fabricant utilise un procédé de codage de signaux numériques appelé Orthogonal Frequency Division Multiplexing  (OFDM), qui procède par répartition en fréquences orthogonales sous forme de multiples sous-porteuses et permet des connexions à haut débit.

Chargement des commentaires
articles apparentés