Elektor Team

8 Go dans seulement 118 mm2

10 décembre 2013, 14:38
8 Go dans seulement 118 mm2
8 Go dans seulement 118 mm2

Quand ils font état de la finesse de gravure de leurs puces, les fabricants de semi-conducteurs jonglent avec les nanomètres. Les nanofarads et les nanosecondes, ça nous connaît, mais les nanomètres ne parlent guère aux électroniciens, même chevronnés. Pourtant, cette finesse de gravure revêt une grande importance eu égard à la densité de transistors réunis sur une seule et même puce et donc, dans le cas de la mémoire flash, par exemple, à leur capacité.

L’annonce faite conjointement par Intel et Micron, au travers de leur co-entreprise IM Flash Technologies, de la gravure d'une puce de mémoire NAND de 8 Go en 20 nanomètres ouvre la voie à des cartes ou des modules de mémoire de masse de capacité encore plus grande.

Jusqu’à présent, Intel n’était capable de produire de telles puces qu’en gravure à 25 nm, ce qui pour une telle capacité nécessitait donc une surface de puce de 167 mm2. En gravure à 20 nm, cette taille se réduit à 118 mm2 pour la même capacité, ce qui ouvre la porte à une miniaturisation encore plus poussée. Tous les fabricants d’appareils équipés de telles mémoires, qu’ils soient nomades comme les téléphones, les cartes de mémoire d’appareils photo ou de caméscopes ou les clés USB, ou bien fixes comme les modules de mémoire de masse, sont donc ravis. Intel et Micron annoncent déjà, grâce au nouveau degré de finesse de gravure désormais atteint, l’arrivée prochaine de puces de 16 Go de capacité unitaire.

D’autres fabricants  tels Toshiba ou bien encore SanDisk, qui gravaient jusqu’à présent en 24 nanomètres et devançaient donc Intel, ne devraient pas tarder à réagir même si la commercialisation des premières puces d’Intel et de Micron ne devrait avoir lieu que fin 2011.

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