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Crossbar annonce l'arrivée de sa redoutable RRAM

10 décembre 2013, 14:38
Crossbar annonce l'arrivée de sa redoutable RRAM
Crossbar annonce l'arrivée de sa redoutable RRAM

Selon des communiqués de presse, la mémoire Crossbar sera jusqu’à 40 fois plus dense que la plus compacte des mémoires actuelles tout en étant moins énergivore et bien plus rapide ! Cette « technologie crossbar » permettrait de stocker 1 To de données sur une surface de 200 millimètres carrés, soit la taille d’un timbre poste. Est-ce une créature de rêve ?
Il semblerait qu'une puce de test soit actuellement en production chez le fabricant asiatique TSMC. Elle serait constituée d'une couche de structures « crossbar » empilée sur un CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) conventionnel. La nom Crossbar vient du motif nanométrique de base utilisé pour stocker les données. Deux couches d’électrodes régulièrement espacées et en forme de tige sont empilées perpendiculairement afin de former une grille. Les bits de données sont stockés sur chaque jonctions où les électrodes des différentes couches se croisent. Cette architecture de type « crossbar » est utilisée depuis longtemps dans d'autres technologies, la différence se trouve ici dans la façon dont les données sont stockées. C'est par le changement d'état de l’entretoise, d’isolant à conducteur, que le courant peut passer entre électrodes supérieure et inférieure. L’écriture d’une donnée se fait en appliquant une tension de contrôle spécifique à une jonction de Crossbar. L’application d’une tension de commande négative inverse ce processus. Les données sont lues en testant la conductivité de chaque jonction.

Nous avons publié récemment une nouvelle sur la mémoire V-NAND avec laquelle Samsung réussit à se maintenir en pôle position sur le marché de la RAM flash. Mais grâce aux apports financiers de plusieurs investisseurs, la jeune société californienne Crossbar compte mettre son produit sur le marché rapidement...

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