Toshiba vient de franchir un nouveau cap avec ses MOSFET SiC 650 V de dernière génération, désormais disponibles dans un format ultra-compact DFN8x8. Ces composants miniatures sont conçus pour booster la densité de puissance et l’efficacité énergétique des équipements industriels, tout en réduisant l’encombrement.


Pourquoi c’est important ? Parce que dans des applications comme les bornes de recharge rapide, les onduleurs solaires ou les alims industrielles, chaque centimètre compte. Et chaque watt économisé aussi.

Avec leur faible résistance et des pertes de commutation réduites, ces MOSFET permettent de concevoir des systèmes plus compacts, plus simples à refroidir, et plus performants. Le tout, sans compromis sur la robustesse grâce à une conception optimisée pour les environnements exigeants.
 
Toshiba Electronics Europe GmbH