Commande de grille avec isolation galvanique

Le STGAP2DM est le deuxième circuit de commande de FET à double canal de la gamme STGAP2 de STMicroelectronics disposant d'une isolation galvanique. Il accepte des entrées de commande basse tension pour piloter deux canaux de sortie isolés, utilisables pour une commande de grille unipolaire ou bipolaire...

Nexperia vient d'introduire ses MOSFET à superjonction basse tension renforcés. Intégrés dans un boîtier LFPAK56E pour assurer un rendement électrique et thermique satisfaisant, le composant permet de diminuer de 81 % les exigences d’encombrement sur un circuit imprimé par comparaison à des solutions D2PAK ou D2PAK-7 traditionnelles. Le circuit intégré BUK9J0R9-40H possède une faible résistance à l’état passant - RDS (on) - d’à peine 0,9 mΩ et peut assurer un courant de charge maximal de 220 A sous 40 V pour des applications nécessitant de commuter jusqu’à 1,2 kW de puissance, l'ensemble constituant une solution extrêmement rentable...

Avec une tension drain-source maximale de 25 V et une capacité de grille relativement faible de 61 nC, le MOSFET de puissance SiRA20DP de Vishay propose une résistance typique à l'état passant inférieure à 0,5 mΩ pour une tension drain-source de 10 V...

L'électronicien n'a pas de mal à imaginer l'impact potentiellement redoutable des particules du rayonnement cosmique  sur le fonctionnement de la microélectronique, surtout à mesure que sa miniaturisation progresse (actuellement 14 nm). La menace d'altération de niveaux logiques et de pertes de contrôle de systèmes électroniques existe sur terre, mais aussi à bord de la station ISS et des sondes spatiales. Or, il n'est possible de blinder efficacement les circuits qu'au prix d'un effort disproportionné. Nous comprenons aisément que la susceptibilité des structures de petite taille soit plus grande, mais quid de la sensibilité aux rayons cosmiques de circuits de puissance qui voient passer des centaines d'ampères ?

If this ain't high voltage then what? The latest 800-volt CoolMOS P7 MOSFET from Infineon is based on their superjunction technology. The device is available in 12 classes of RDS(on) beginning with 0.28 ? and in 6 package options. It is particularly suited to high voltage switching applications, flyback applications including adapter and charger, LED lighting, audio SMPS, AUX and industrial power.

Les réseaux de transistors en boitier DIP comme le ULN2003 permettent depuis longtemps de commander des relais, moteurs et autres lampes. Ils sont généralement composés de sept à huit transistors de type bipolaire. Toshiba propose une nouvelle génération de ces réseaux à base de DMOSFET de faible consommation.

protection contre l?inersion sans perte de tension Gregor Kleine Une inersion est ite arriée dans les appareils sur batteries et 060 Il faut appeler des MOSFET à la rescousse Ils transfèrent en effet la tension à la charge presque sans pert

limitation du courant de démarrage par MOSFET U IN D1 R1 * 079 éleé et peut surcharger à tel point l?alimentation placée en amont qu?elle est incapable d?atteindre son régime de traail Ce limiteur 1M RL de courant de démarrage élimine radicale

56 l ( (1 J) -Inerseurs a Aecun transistor bipolaire - U if) La figure 1 montre deux étages à tran- 2) MOSFET sistor remplissant une fonction diner- seurun exemplaire à base de 1) transistor NPN lautre utilis

28 testeur de nés soient aussi proches lun de lautre que posiblc Ccdans le cas deétages complémcntuirc- en FETMOS de particulier que le choses sc compli- quent u que lon a affaire dune part il une dispersion de caractéris- puiss