Diodes Incorporated vient d’annoncer l’extension de son portefeuille de produits en carbure de silicium (SiC) avec une nouvelle série de diodes Schottky 650V à haute performance. Cette série, baptisée DSCxxA065LP, comprend cinq modèles avec des courants nominaux de 4A, 6A, 8A, 10A et 12A, tous logés dans un boîtier ultra-thermiquement efficace T-DFN8080-4.

Des performances de pointe pour les applications de conversion d’énergie

Conçues pour les applications de commutation de puissance à haut rendement — comme les conversions DC-DC, AC-DC, les énergies renouvelables, les centres de données (notamment ceux traitant des charges de travail en intelligence artificielle) et les entraînements de moteurs industriels — ces diodes se distinguent par leur faible figure de mérite (FOM).

Le FOM, défini par la formule FOM = QC × VF, est optimisé grâce à :

  • Une perte de commutation négligeable, due à l’absence de courant de recouvrement inverse et à une faible charge capacitive (QC),
  • Une tension directe faible (VF), réduisant les pertes de conduction et améliorant l’efficacité énergétique globale.

Ces caractéristiques les rendent idéales pour les circuits à commutation rapide.

Moins de chaleur, plus de fiabilité

Autre point fort : ces diodes affichent la plus faible fuite inverse (IR) du marché, avec un maximum de 20 µA. Cela se traduit par :

  • Moins de dissipation thermique,
  • Moins de pertes de conduction,
  • Une meilleure stabilité et fiabilité du système, surtout comparé aux dispositifs Schottky en silicium.

Moins de chaleur signifie aussi moins de coûts de refroidissement et une réduction des dépenses d’exploitation.

Un boîtier compact et performant

Le boîtier T-DFN8080-4 (dimensions typiques : 8 mm x 8 mm x 1 mm) est un format monté en surface avec un large pad thermique en dessous, réduisant la résistance thermique. Il occupe moins d’espace sur la carte tout en offrant une meilleure dissipation thermique, ce qui en fait une alternative idéale au TO252 (DPAK).

Diodes Incorporated