La transition énergétique ne concerne pas uniquement les grandes infrastructures électriques. Elle se joue également au cœur des alimentations industrielles où chaque milliwatt économisé contribue à améliorer le rendement global des équipements.
Avec sa nouvelle gamme de MOSFET de puissance 60 V et 100 V, Toshiba répond à une évolution majeure : la migration progressive des architectures industrielles vers des alimentations 48 V plus efficaces.

Pourquoi le 48 V s’impose dans l’industrie

À mesure que la puissance consommée augmente, les systèmes basse tension traditionnels atteignent leurs limites. En passant à 48 V, les concepteurs peuvent réduire les courants pour une même puissance, ce qui limite les pertes dans les conducteurs et améliore l’efficacité du système.
Cette évolution impose toutefois des composants capables de résister à des surtensions parfois importantes lors des démarrages ou des transitoires de charge. C’est pour répondre à cette problématique que Toshiba a développé ses versions 100 V, offrant une marge de sécurité adaptée aux infrastructures 48 V modernes.

Réduire les pertes grâce à un faible RDS(on)

Dans un MOSFET, les pertes de conduction sont directement liées à la résistance drain-source à l’état passant. Plus cette valeur est faible, plus les pertes Joule diminuent.
Les nouvelles références Toshiba exploitent une architecture optimisée permettant d’atteindre de faibles niveaux de RDS(on) tout en conservant une taille réduite. Cette amélioration se traduit par un meilleur rendement énergétique et une réduction de l’échauffement des cartes électroniques.
Ces gains deviennent particulièrement importants dans les applications fonctionnant en continu.

Adapter le composant aux contraintes thermiques

La gestion thermique reste l’un des principaux défis des convertisseurs de puissance modernes. Pour répondre à des besoins variés, Toshiba propose plusieurs types de boîtiers.
Le format TSOP6F privilégie l’évacuation de la chaleur, tandis que le UDFN6B maximise la compacité sans sacrifier les performances. Le SOT‑23F offre un équilibre entre intégration, simplicité de routage et performances électriques.
Cette diversité permet d’optimiser simultanément la densité de puissance et l’encombrement du système.

Répondre à l’essor des équipements connectés

Les applications visées dépassent largement le cadre industriel traditionnel. Les infrastructures de communication, les centres de calcul, les équipements domotiques ou les appareils électroménagers intelligents nécessitent eux aussi des alimentations toujours plus compactes et efficaces.
Les nouveaux MOSFET répondent à cette demande croissante en combinant robustesse, faible consommation et simplicité d’intégration.

Vers des alimentations plus compactes et plus performantes

L’amélioration du rendement énergétique passe aujourd’hui par une optimisation globale du système. Les composants de commutation jouent un rôle essentiel dans cette démarche, notamment lorsqu’il s’agit de réduire les pertes tout en maintenant des dimensions réduites.
Cette nouvelle famille illustre parfaitement la manière dont les technologies de puissance continuent d’évoluer pour accompagner la montée en performances des équipements électroniques.

Si vous développez des alimentations industrielles ou des systèmes de conversion de puissance, cette gamme montre que les MOSFET modernes doivent désormais combiner tolérance aux tensions élevées, faible résistance à l’état passant, gestion thermique efficace et forte densité d’intégration, afin de répondre aux besoins des architectures 24 V et 48 V de nouvelle génération.

Toshiba Electronics Europe GmbH