Les RAM résistives (ReRAM ou RRAM) présentent des caractéristiques prometteuses. Ce nouveau type de mémoire non volatile, remarquable par sa rapidité et sa faible consommation, pourrait détrôner la mémoire flash : Fujitsu a lancé officiellement la production de masse des MB85AS4MT, des puces ReRAM de 4 Mo. Ce premier produit a été développé en collaboration avec Panasonic et affiche pour l'instant la plus forte densité de mémoire de toutes les puces ReRAM.
La MB85AS4MT est une puce ReRAM à interface SPI qui fonctionne sous 1,65 à 3,6 V. Son faible courant de fonctionnement, seulement 0,2 mA à une fréquence d'accès aux données de 5 MHz, est l'un de ses avantages décisifs dans les applications autonomes à piles comme les puces vestimentaires ou les prothèses auditives.

Non seulement les ReRAM consomment moins, mais tolèrent aussi un plus grand nombre de cycles d'écriture que les autres mémoires non volatiles, EEPROM ou mémoires flash. La nouvelle puce est disponible en boîtier SOP à huit broches (5,3 mm), compatible broche à broche avec les autres mémoires, par exemple les EEPROM.