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LED GaN sur GaN

6 février 2014, 00:00
LED GaN sur GaN

La réduction des coûts de fabrication des LED dépend de l’utilisation de substrats moins chers. Les LED au nitrure de gallium (GaN) sur silicium n’atteignent pas encore l’efficacité quantique externe (External Quantum Efficiency, EQE) des LED au GaN sur saphir, mais sont environ 40 % moins chères. Dans les deux cas il s’agit d’hétéro-épitaxie.

Les LED au GaN sur GaN peuvent être pilotées avec un courant cinq à dix fois plus intense que celui des LED au GaN sur saphir, ce qui augmente la quantité de lumière produite par chaque puce, mais le substrat reste coûteux. En fait, avec la LED GaN sur GaN, les défauts de l’épitaxie (dislocations) sont limités, ce qui améliore l’efficacité quantique interne (Internal Quantum Efficiency, IQE). Il y a des cristaux sur tous les plans, la lumière passe même par les côtés.

 

Comparaison de structure des LED GaN sur substrat et LED GaN sur GaN.

 

La société SORAA, qui propose cette nouvelle génération de LED GaN sur GaN, s’est également intéressée à l’amélioration du spectre : il est plus étendu. Leurs LED ont un meilleur rendu des couleurs ainsi que du blanc.

 

Le spectre des LED SORAA est plus étendu que celui des LED conventionnelles.

 

En effet, les objets blancs semblent « plus blancs que blancs » s’ils contiennent des agents de blanchiment optiques qui absorbent les ultraviolets et émettent de la lumière bleue. Le soleil par exemple excite ces agents (OBA, Optical Brightening Agent) que l’on trouve dans les détergents, le papier, les matières synthétiques, les dents… Une chemise paraîtra plus blanche sous une lampe halogène (parce qu’elle émet naturellement des ultraviolets) que sous une lampe à LED ; c’est pourquoi SORAA propose des LED qui émettent des ultraviolets pour un meilleur rendu du blanc.

 

Une chemise dont les agents de blanchiment optiques ne sont pas excités ne semble pas blanche.

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