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Mémoire EEPROM à écriture très rapide

10 décembre 2013, 14:38
Mémoire EEPROM à écriture très rapide
Mémoire EEPROM à écriture très rapide

Les mémoires EEPROM sont utiles, et même précieuses, mais lentes. Pour être programmées, ll leur faut « un temps certain ». C’est pas pas rédhibitoire pour les applications où n’existe aucune contrainte temporelle, mais il est des situations où un peu plus de dynamisme serait apprécié.

Si l’on accepte quelques restrictions quant à la durée de rétention de l’information, c’est aujourd’hui le cas avec la famille M35B32 de ST Microelectronics qui présente la particularité remarquable de pouvoir être programmée, sous certaines conditions, en moins d’une milliseconde pour 256 octets.

Cette mémoire de type EEPROM offre une capacité totale de 32 kilobits organisés en pages de 256 octets, soit 2 kilobits chacune.

Elle s’alimente sous une tension unique de 2,5 à 5,5 V et offre en standard un bus de données sériel synchrone, sous la forme d'une interface SPI (Serial Peripheral Interface), désormais classique dans le monde des microcontrôleurs.

Intérieurement, elle est divisée en ce que ST appelle des secteurs avec l’event sector (secteur d'événement) capable d’accepter 256 octets en moins d’une milliseconde tandis que le data sector (secteur de données) peut être programmé en 5 millisecondes, pour la même quantité de données.

 La durée de rétention s’en ressent : elle atteint 40 ans dans le data sector, mais n’est que d'un an dans l’event sector . Selon l’application envisagée, ce composant risque donc d'avoir la mémoire trop courte. Le nombre de cycles d’écriture est également influencé par la différence de vitesse de fonctionnement puisque, s’il dépasse le million dans le secteur de données, il plafonne à 10.000 dans le secteur des événements, ce qui offre déjà de belles possibilités.

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