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Nouvelle mémoire : plus rapide et moins chère que la Flash

10 décembre 2013, 14:38
Nouvelle mémoire : plus rapide et moins chère que la Flash
Nouvelle mémoire : plus rapide et moins chère que la Flash

Omniprésentes dans les cartes de mémoire de nos appareils photos ou nos caméscopes, dans les clés USB et tant d'autres applications, les mémoires Flash n'en souffrent pas moins de défauts que leurs fabricants tentent de minimiser, faute de mieux.

Non seulement elles ne brillent pas par leur rapidité, notamment à l'écriture, mais les mémoires Flash « s’usent » aussi. Elles ne supportent qu’un nombre limité de cycles d’écriture, variant grosso modo entre 10 000 et 100 000 selon les modèles.

Dans ce contexte, l'annonce faite par IBM du succès de ses expérimentations sur ses dernières versions de mémoires dites à changement de phase, est donc digne d'intérêt. À terme, ce nouveau procédé remplacera peut-être la mémoire Flash en corrigeant nombre de ses défauts.

Ces nouvelles mémoires seraient en effet jusqu’à 100 fois plus rapides et supporteraient jusqu’à 10 millions de cycles de lecture/écriture.

Le principe (sans entrer dans les détails) : la cellule élémentaire est constituée d'un matériau dont la résistance change en cas d'échauffement. Ensuite cette résistance est conservée même lorsque l’échauffement est arrêté, de sorte que ces mémoires, tout comme les mémoires Flash, mais pour d'autres raisons, ne sont pas volatiles.
En outre, il est possible de conserver plusieurs valeurs de résistances, ce qui permet de stocker non pas seulement deux états logiques par cellule mémoire, comme c’est le cas avec les circuits à bascule conventionnels, mais jusqu’à quatre états différents, soit deux bits distincts. IBM envisage même d’obtenir huit états différents, soit trois bits par cellule de mémoire.

On n'en est qu’aux tests de laboratoire, mais la commercialisation des premiers circuits est envisagée vers 2016 environ.

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