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Production en grande série de la première mémoire flash NAND verticale 3D

10 décembre 2013, 14:38
Production en grande série de la première mémoire flash NAND verticale 3D
Production en grande série de la première mémoire flash NAND verticale 3D

Cette avancée pulvérise la limite d'échelle NAND et marque le début d'une ère nouvelle pour la mémoire 3D. Samsung Electronics a annoncé le début de la production en grande série de la première mémoire flash NAND verticale (V-NAND) en trois dimensions (3D). Avec cette amélioration des performances et du rapport de surface, la nouvelle V-NAND 3D aura sa place dans de nombreux appareils, notamment le stockage NAND intégré et les SSD (solid state drives).

La structure de cellules verticale de la nouvelle V-NAND de Samsung, de 128 gigabits (Gb) sur une seule puce, est basée à la fois sur la technologie 3D CTF (Charge Trap Flash) et sur la technologie de gravure d'interconnexion verticale pour relier la matrice de cellules 3D. En les combinant, la V-NAND 3D de Samsung offre une réduction d'échelle deux fois plus forte que celle de la flash NAND en technologie planaire de classe 20 nm.

Depuis 40 ans, les mémoires flash conventionnelles étaient basées sur des structures planaires à grilles flottantes. Quand la technologie de gravure a atteint et dépassé la classe 10 nm, la limite de réduction d'échelle est devenue préoccupante, en raison des interférences entre cellules qui compromettent la fiabilité des mémoires flash NAND. Elle a également entraîné une augmentation de la durée du développement et donc des coûts. Avec ces nouvelles V-NAND et les incroyables niveaux atteints dans l'innovation des circuits et de la structure, ces problèmes techniques sont résolus. Elles offrent non seulement une amélioration de la fiabilité de 2 à 10 fois supérieure, mais aussi une vitesse d'écriture deux fois plus grande. La technique de gravure spéciale permet de raccorder les couches électroniquement en perforant des trous depuis la couche supérieure jusqu'à la couche inférieure, et d¹empiler ainsi jusqu'à 24 couches de cellules.

Avec cette nouvelle structure verticale, Samsung obtient des mémoires flash NAND de plus grande densité en augmentant le nombre de couches de cellules 3D sans avoir à poursuivre la réduction d¹échelle en technologie planaire qui entraîne toujours plus de problèmes.

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