Record de Samsung : 1 To de mémoire flash sur une seule puce

12 février 2019, 17:32
Record de Samsung : 1 To de mémoire flash sur une seule puce
Record de Samsung : 1 To de mémoire flash sur une seule puce
Si un smartphone doté de 256 Go de mémoire flash vous impressionne et que vous vous demandez qui pourrait bien en avoir besoin, vous serez certainement étonné d'apprendre que Samsung a voulu pousser la miniaturisation encore plus loin. Cette société a en effet annoncé qu'elle portait d'ores et déjà (en dépit de la loi de Moore qui leur laissait 2 ans) la capacité de ses puces de mémoire flash les plus denses de 512 Go à 1 To. Le circuit eUFS (embedded Universal Flash Storage) mesure 11,5 x 13 mm. En outre, les vitesses de lecture et d'écriture augmentent encore.

Galaxy 10 ?

La mémoire intégrée dans les smartphones est plus rapide que celle des cartes SD. Sinon, la puce ARM-SoC perdrait beaucoup de temps à attendre les données : avec les nombreux petits fichiers habituels (fichiers musicaux, photos), l'écriture et la lecture de la mémoire d'un smartphone pourrait durer des heures. En outre, le ratio d'occupation d'un smartphone est au moins aussi serré que celui d'une carte SD. La place sur la platine est chère, elle limite l'espace disponible pour les accus, etc.
Il semble cependant qu'il existe un marché pour les appareils mobiles à mémoire de très grande taille et il se murmure que Samsung prévoit d'équiper son produit phare le Galaxy 10+ Premium de cette puce. Apple va certainement bien faire les choses et le prochain iPhone (version XX+ ou XY+ ?) atteindra probablement le prix record de 2 k€. Quelque part, c'est fou de constater que dans peu de temps, les smartphones disposeront de plus de mémoire que les ordinateurs portables classiques. Étant donné la capacité des puces de son fournisseur Samsung, il est cependant particulièrement étrange de constater, qu'à ce jour, Apple fait encore appel à des SSD pour équiper son haut de gamme. En effet, en comparaison, ils ne proposent que 128 Go (et chaque bit supplémentaire vaut son pesant d'or !).

 
Mémoire Flash de 1 To. Images : Samsung.

Caractéristiques

La nouvelle eUFS comprend 16 couches superposées, chacune de 512 Gbits, ce qui en tout fait 8192 Gbits, soit exactement 1 To. Samsung utilise ici sa technique V-NAND (3D-NAND-Flash) par ailleurs actuellement mise en œuvre dans les SSD comme le 970 Evo Plus. Chaque couche comprend elle-même 96 couches de cellules flash. Les caractéristiques les plus importantes sont la lecture et l'écriture aléatoires : respectivement 58 000 et 50 000 opérations/s (IOPS). Ce sont celles d'un SSD standard. Seuls les meilleurs modèles NVME comme ceux de Samsung et d'autres constructeurs sont nettement plus rapides avec des vitesses approchant les 400 000 IOPS. Mais pour les smartphones et tablettes, cette puce de 1 To est déjà largement assez puissante.
Les vitesses de lecture et d'écriture des données sont remarquables : jusqu'à 1000 Mo/s en lecture et la valeur respectable de 260 Mo/s en écriture. Les mobiles gagneront encore en performance par rapport aux puces de 512 Go. Grâce à leur contrôleur, les SSD fabriqués avec ces puces ont des performances supérieures : le cache permet d'accélérer le processus et de répartir les accès en parallèle sur plusieurs puces.
 
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