Quatre-vingt gigabits par seconde... un débit à donner le tournis au plus blasé des électroniciens. C'est l'apanage des nouvelles mémoires SRAM 65 nm de 72 Mbits Quad Data Rate (QDR) et Double Data Rate (DDR) capables de fonctionner à 550 MHz, de Cypress Semiconductor. Une mémoire QDRII+ à largeur de bus de 36 bits atteint ce débit ahurissant avec en prime une consommation moitié moindre que celle des SRAM 90 nm. C'est idéal pour traiter les grosses quantités de données comme sur les routeurs Internet centraux ou périphériques, les commutateurs Ethernet, les stations de base 3G et des routeurs sécurisés, les systèmes d'imagerie médicale et des applications de traitement de signal des militaires. Cela ne concerne donc pas directement le commun des mortels.

 

Comparées à leurs prédécesseurs en technique 90 nm, les SRAM 65 nm QDR et DDR bénéficient d'une capacité d'entrée et de sortie diminuée de 60%. Les modèles QDRII+ et DDRII+ possèdent une adaptation de ligne intégrée (ODT : On-Die Termination), qui améliore l'intégrité du signal, diminue le coût et réduit l'encombrement en supprimant les résistances d'adaptation externes. Ces mémoires 65 nm utilisent une boucle à phase asservie (PLL) à la place d'une boucle à retard (DLL), ce qui élargit de 35% la fenêtre de validité des données et facilite leur mise en œuvre. Chaque modèle est disponible dans plusieurs configurations basées sur la largeur de bus (18 ou 36 bits), la longueur de rafale (Burst4 ou Burst2) et le délai de latence (1,5, 2 ou 2,5 cycles d’horloge). Les SRAMS sont en boîtiers standard FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) à 165 broches. Les composants sont compatibles broche à broche (bille à bille) avec les SRAM 90 nm, permettant aux utilisateurs de monter en performance sans reprise d'implantation des cartes.
A défaut de manipuler ce genre de composants dans notre pratique courante, il n'est pas interdit d'en connaître l'existence et les performances sans cesse meilleures.