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Transistors à déplétion profonde

10 décembre 2013, 14:38
Transistors à déplétion profonde
Transistors à déplétion profonde

Non, ce n’est pas de dépression qu’il est question ici, mais bien de déplétion, un mot certes moins familier. Il s’agit d’un progrès technique mis en œuvre pour la première fois dans la production en masse d’un circuit intégré processeur d’image Milbeaut MB86S22AA, par Fujitsu Semiconductor. Les processeurs d’image Milbeaut ont déjà connu de nombreux succès dans quantité d’applications, depuis les appareils photo reflex numériques jusqu’aux téléphones tactiles.C’est la première puce basée sur des transistors DDC (Deeply Depleted Channel, canal à déplétion profonde). Grâce à leur technologie CS250S qui combine le procédé 55 nm de Fujitsu et les transistors DDC, ce circuit intégré consomme 30 % de moins. Pourtant la performance de traitement est quasi double par rapport aux produits existants, grâce à l’augmentation considérable du nombre de circuits internes et une performance de traitement améliorée.

Fujitsu Semiconductor est le premier bénéficiaire de la licence de la technologie DDC cédée par SuVolta. Ce que SuVolta et Fujitsu ont fait est important pour l’industrie des semi-conducteurs, en donnant une nouvelle vie au procédé 55 nm de Fujitsu, avec une avancée dans les fonctions de circuits intégrés beaucoup moins coûteuses et complexes que ce qui est nécessaire pour migrer en procédé 40 nm ou 28 nm. Comme la majorité des procédés de fabrication actuels sont compris entre 90 nm et 40 nm, les implications et les avantages pour l’industrie sont considérables.

La technologie DDC permet la réduction de la consommation résiduelle et de la consommation active grâce à de nombreuses caractéristiques du transistor comprenant la réduction de la variation de tension de seuil (VT) et de l’amélioration de la mobilité des porteurs. Elle réduit la consommation totale jusqu’à 50 % tout en gardant la vitesse de fonctionnement du même circuit réalisé avec des

transistors conventionnels. Elle augmente la vitesse de fonctionnement jusqu’à 35 % avec une consommation équivalant à celle d’une conception conventionnelle. Elle réduit la variabilité du transistor jusqu’à 50 %, améliorant la performance et facilitant la fabrication des mémoires. Elle offre enfin une performance supérieure de circuits analogiques.

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