Les réseaux de transistors en boitier DIP composés de sept ou huit transistors de puissance existent depuis lurette. Le ULN2003 a par exemple servi à commander d’innombrables relais, moteurs et lampes. Lorsque leurs transistors sont de type bipolaire, ces réseaux peuvent habituellement commuter 500 mA par sortie. On disposera désormais de réseaux à MOSFET, qui plus est à basse consommation.
 
La nouvelle génération de réseaux de transistors de Toshiba utilise des transistors à effet de champ à DMOS (DMOSFET) dans ses étages de sortie. La famille TBD62783A est destinée aux commutations « high-side » (transistor entre le point chaud et la charge). Elle succède à la famille TD62783 utilisant des transistors bipolaires et réduit les pertes de puissance d’environ 40 %. Pour les commutations « low-side » (transistor entre le point froid et la charge), Toshiba propose la série TBD62083A, qui elle succède à la série TBD62083.
 
Les nouveaux modèles fonctionnent sans courant de base, ce ...