Les réseaux de transistors aussi se mettent à l’éco-énergie

15 mars 2016, 04:58
Réseaux de transistors Toshiba.
Réseaux de transistors Toshiba.
Les réseaux de transistors en boitier DIP composés de sept ou huit transistors de puissance existent depuis lurette. Le ULN2003 a par exemple servi à commander d’innombrables relais, moteurs et lampes. Lorsque leurs transistors sont de type bipolaire, ces réseaux peuvent habituellement commuter 500 mA par sortie. On disposera désormais de réseaux à MOSFET, qui plus est à basse consommation.
 
La nouvelle génération de réseaux de transistors de Toshiba utilise des transistors à effet de champ à DMOS (DMOSFET) dans ses étages de sortie. La famille TBD62783A est destinée aux commutations « high-side » (transistor entre le point chaud et la charge). Elle succède à la famille TD62783 utilisant des transistors bipolaires et réduit les pertes de puissance d’environ 40 %. Pour les commutations « low-side » (transistor entre le point froid et la charge), Toshiba propose la série TBD62083A, qui elle succède à la série TBD62083.
 
Les nouveaux modèles fonctionnent sans courant de base, ce qui réduit les courants d’entrée. Les DMOSFET absorbent des densités de courant élevées tout en gardant une faible résistance à l’état passant, ce qui augmente le rendement et réduit les pertes de puissance. Tous les modèles acceptent des tensions élevées et des courants forts, leur sortie nominale maximale étant de 50 V / 0,5 A. [HM]
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