Dans les alimentations modernes, chaque milliohm compte. À mesure que les centres de données et les équipements industriels recherchent toujours plus d’efficacité, la moindre perte de conduction ou de commutation devient un frein aux performances globales. Avec le TPHR6704RL, Toshiba apporte une nouvelle réponse à ce défi.
Ce MOSFET de puissance canal N 40 V, basé sur la technologie U‑MOS11‑H, a été pensé pour réduire les pertes, améliorer la commutation et simplifier la vie des concepteurs d’alimentations.

Quand la technologie du silicium fait la différence

Grâce au procédé U‑MOS11‑H, Toshiba parvient à abaisser la résistance à l’état passant à des niveaux inédits, tout en améliorant les performances dynamiques. Résultat : moins d’énergie dissipée, moins de chaleur à gérer et un rendement global plus élevé.
La réduction significative du facteur de mérite RDS(on) × Qg illustre cette approche : le MOSFET n’est pas seulement plus efficace à l’état passant, il commute aussi plus proprement et plus rapidement.

Des commutations plus propres pour des systèmes plus stables

Dans les alimentations à découpage, les commutations rapides sont souvent synonymes de bruit et d’EMI. Le TPHR6704RL a été conçu pour minimiser les pics de tension drain‑source, contribuant à des conceptions plus stables et plus faciles à rendre conformes aux exigences CEM.
Un avantage clé pour les applications critiques, qu’il s’agisse de centres de données, de convertisseurs industriels ou de commandes moteur.

Pensé pour les environnements industriels réels

Au‑delà des chiffres de rendement, ce MOSFET a été dimensionné pour le terrain : courants élevés, fortes contraintes thermiques et températures de fonctionnement étendues. Son boîtier SOP Advance assure une intégration fluide dans des conceptions existantes, sans compromis sur la robustesse.
Et pour aller plus loin, Toshiba accompagne le composant avec des modèles SPICE détaillés, permettant aux ingénieurs de simuler précisément le comportement réel du MOSFET avant même la première carte.

Si vous concevez des alimentations à haut rendement, ce lancement montre comment les évolutions du procédé silicium peuvent se traduire directement par des gains concrets : moins de pertes, moins d’EMI et des conceptions plus compactes. Un levier clé pour répondre aux exigences énergétiques et thermiques des systèmes industriels actuels et futurs.

Toshiba Electronics Europe GmbH