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Transistor pour radar automobile

10 décembre 2013, 14:38
Transistor pour radar automobile
Transistor pour radar automobile

Le laboratoire de recherche IMEC (Louvain, Belgique) a développé un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) capable de fonctionner jusqu’à 450 GHz. Un tel transistor est essentiel pour le développement des radars à faible puissance pour l’automobile. Le nouveau transistor ouvre aussi la voie à l’utilisation des circuits à ondes millimétriques en silicium dans des systèmes de sécurité et médicaux qui fonctionnent dans la bande des THz.


Le nouveau transistor est du type hétérojonction, ce qui veut dire qu’il est à base de plusieurs matériaux semi-conducteurs. Dans ce cas il s’agit d’un transistor SiGe:C à base de silicium, germanium et carbone. En maitrisant bien le procédé de fabrication pour définir avec précision les jonctions entre les différents dopages les chercheurs ont réussi à réaliser un transistor avec une fT (la fréquence où le gain est 1) de 245 GHz et une fréquence d’oscillation maximale fMAX de 450 GHz. Le nouveau procédé de fabrication a également permis d’obtenir une faible capacité entre le collecteur et la base.

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