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thyristor MOSFET à double anode

plus de vitesse et moins de gaspillage qu’avec les vieux thyristors

thyristor MOSFET à double anode
Du fait de leur conception élémentaire, les thyristors et triacs qui servent à commuter des charges se caractérisent à l’état « ouvert » par une forte tension entre cathode et anode. En outre leurs caractéristiques de commutation laissent à désirer. En conséquence, les redresseurs commandés au silicium (SCR) sont sujets à une forte dissipation de puissance, provoquant quelquefois une surchauffe et à terme la défaillance de l’ensemble du montage électronique. De plus, l’échauffement lui-même d’un thyristor traditionnel constitue un gaspillage d’énergie électrique, qui entraîne des pertes considérables lorsqu’on passe à l’échelle de l’utilisation planétaire dans des applications industrielles ou domestiques. Il est grand temps de disposer d’un dispositif plus « vert », le voici.
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Info supplémentaire / Mise à jour
Thyristor MOSFET à double anode : plus de vitesse et moins de gaspillage qu’avec les vieux thyristors.
Component list

Liste des composants

Circuit imprimé du thyristor MOSFET à double anode version BT, réf. 160515-1

Résistances

R1, R5, R8 = 10 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R2 = 15 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R3 = 5,6 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R4, R7 = 100 Ω, 5%, 0,25 W, 250 V

R6 = 22 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

 

Semi-conducteurs

D1, D2 = 1N5242BTR, diode Zener, 12 V, 5%, 0,5 W, DO-35

Th1 = P0102DA 1AA3, thyristor, 800 mA, 400 V, TO-92

T1, T2 = SPP15N60C3XKSA1, MOSFET à canal N, 600 V, 15 A, TO-220

 

Divers

K1 = bornier à vis à 2 bornes, au pas de 5 mm, 630 V

K2 = bornier à vis à 3 bornes, au pas de 5 mm, 630 V

Circuit imprimé, réf. 160515-1 (www.elektor.fr)

Liste des composants

Circuit imprimé du thyristor MOSFET à double anode version HT, réf. 160515-2

Résistances

R1 = 100 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R2, R3 = 470 kΩ, 5%, 1 W, 500 V

R4 = 10 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R5 = 330 kΩ, 5%, 1 W, 500 V

Semi-conducteurs

D1, D2 = 1N4742A, diode Zener, 12 V, 5%, 1 W, DO-41

D3-D9 = 1N4007, DO-41

Th1 = BT151-800R, thyristor, 800 V, 7,5 A, Igt max. 15 mA, TO-220

T1, T2 = SPP15N60C3XKSA1, MOSFET à canal N, TO-220

Divers

K1, K3 = bornier à vis à 2 bornes, au pas de 7,5 mm, 630 V

K2 = bornier à vis à 3 bornes, au pas de 7,5 mm, 630 V

Circuit imprimé, réf. 160515-2 (www.elektor.fr)

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