Cambridge GaN Devices (CGD) annonce un partenariat avec GlobalFoundries (GF) pour soutenir la fabrication de ses dispositifs de puissance ICeGaN, conçus pour des systèmes électroniques durables et économes en énergie. Cette alliance consolide la stratégie fabless de CGD et garantit une chaîne d’approvisionnement robuste.

Une technologie GaN innovante
Les dispositifs ICeGaN fonctionnent avec des drivers MOSFET standards et sont fabriqués via un processus CMOS classique, sans besoin de procédés spécialisés. L’utilisation des lignes 8” de GF assure des coûts compétitifs et une production fiable.
L’architecture ICeGaN est fab-agnostic, ce qui facilite le transfert vers de nouvelles fonderies. Le flux de conception CGD, enrichi par des algorithmes de machine learning, optimise les modèles à partir des données de test pour garantir des performances prévisibles et une mise sur le marché rapide.

Objectif : innovation et rapidité
Cette approche permet des conceptions « right first time », réduisant les délais et offrant à CGD la flexibilité nécessaire pour répondre aux évolutions du marché.

Simon Stacey, COO de CGD, souligne : « Notre collaboration avec GF nous permet de développer et produire nos dispositifs GaN nouvelle génération plus rapidement, tout en bénéficiant de leur expertise reconnue. »

Les atouts du GaN
Le GaN se distingue par :
  • Efficacité énergétique supérieure
  • Commutation ultra-rapide
  • Format compact et densité élevée

Ces caractéristiques répondent aux besoins des systèmes d’alimentation modernes, favorisant la conception de solutions durables.

Une solution unique sur le marché
Avec ICeGaN, CGD propose une technologie intégrée sur une seule puce, combinant commutateur, interface et protection, contrairement aux solutions multi-composants. Cette approche simplifie la conception et améliore la robustesse, offrant aux ingénieurs la confiance nécessaire pour adopter le GaN.

Cambridge GaN Devices (CGD)