Dans les systèmes automobiles modernes, chaque milliohm compte. Derrière les performances des convertisseurs, des onduleurs ou des systèmes de gestion de charge, ce sont souvent les transistors de puissance qui déterminent le rendement global.
Avec sa nouvelle génération de MOSFET 40 V en boîtier SOP Advance (EWF), Toshiba s’attaque directement à ces pertes invisibles mais critiques.

Réduire la résistance pour gagner en efficacité

Dans un MOSFET, la résistance à l’état passant, ou RDS(on), est l’un des facteurs principaux des pertes de conduction. En remplaçant les interconnexions internes classiques par un clip en cuivre, le nouveau boîtier réduit les résistances parasites.
Cette optimisation se traduit directement par une diminution des pertes Joule, ce qui améliore le rendement global des systèmes de conversion de puissance.

Augmenter le courant sans compromettre la fiabilité

La capacité à atteindre 180 A en courant continu repose sur une meilleure distribution des courants au sein du boîtier. Le couplage de source vers le dos du composant permet d’augmenter la surface de contact thermique avec le PCB, améliorant ainsi la dissipation.
En pratique, cela signifie que le composant peut fonctionner à des niveaux de puissance plus élevés sans dépasser ses limites thermiques.

Maîtriser la dissipation thermique

L’un des défis majeurs des MOSFET de puissance est la gestion du flux thermique entre la jonction et le boîtier. La réduction de l’impédance thermique Zth(ch‑c) améliore le transfert de chaleur, réduisant les gradients thermiques internes.
Cette caractéristique permet d’augmenter la robustesse du composant, notamment dans les applications où les cycles thermiques sont fréquents.

Adapter le composant aux contraintes industrielles

La présence de flancs mouillables facilite l’inspection visuelle et automatique des soudures, un élément clé dans les chaînes de production modernes. Cette amélioration permet d’assurer une meilleure qualité d’assemblage et de réduire les défauts.
Dans un contexte automobile, où chaque composant doit répondre à des normes strictes, cette capacité d’inspection devient essentielle.

Optimiser les architectures de puissance

Ces MOSFET sont conçus pour des applications où la densité de puissance et l’efficacité sont critiques. Dans des systèmes comme les convertisseurs de tension ou les relais électroniques, la réduction des pertes et l’amélioration de la dissipation thermique permettent d’augmenter la performance globale tout en réduisant les contraintes de refroidissement.

Si vous travaillez en électronique de puissance, cette évolution montre que les gains de performance ne viennent pas uniquement des architectures système, mais aussi de l’optimisation fine des composants. Les innovations en packaging permettent de réduire les pertes, améliorer la conduction thermique et repousser les limites de courant, ce qui est essentiel pour les systèmes automobiles modernes.

Toshiba Electronics Europe GmbH